HY1310V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1310V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HY1310V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1310V даташит

 ..1. Size:606K  hymexa
 hy1310d hy1310u hy1310v.pdf pdf_icon

HY1310V

HY1310D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100 V/ 33 A, RDS(ON)=19.5 m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=20.5m (typ.) @ VGS=4.5V Avalanche Rated S S Reliable and Rugged D D G G Lead Free and Green Devices Available S (RoHS Compliant) D G TO-251-3L TO-251-3S TO-252-2L Applications Power Management for Inverter Systems. N-Ch

Другие IGBT... HY1210D, HY1210U, HY1210V, HY12P03C2, HY12P03S, HY1303C, HY1310D, HY1310U, IRF740, HY1403D, HY1403U, HY1403V, HY1503C1, HY1506C2, HY15P03C2, HY15P03S, HY1603D