Справочник MOSFET. HY1310V

 

HY1310V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY1310V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 115 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для HY1310V

 

 

HY1310V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  hymexa
 hy1310d hy1310u hy1310v.pdf

HY1310V HY1310V

HY1310D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100 V/ 33 A,RDS(ON)=19.5 m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=20.5m(typ.) @ VGS=4.5V Avalanche RatedSS Reliable and RuggedDDGG Lead Free and Green Devices AvailableS(RoHS Compliant) DGTO-251-3L TO-251-3STO-252-2LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Ch

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top