Справочник MOSFET. HY1310V

 

HY1310V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1310V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HY1310V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1310V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  hymexa
 hy1310d hy1310u hy1310v.pdf pdf_icon

HY1310V

HY1310D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100 V/ 33 A,RDS(ON)=19.5 m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=20.5m(typ.) @ VGS=4.5V Avalanche RatedSS Reliable and RuggedDDGG Lead Free and Green Devices AvailableS(RoHS Compliant) DGTO-251-3L TO-251-3STO-252-2LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Ch

Другие MOSFET... HY1210D , HY1210U , HY1210V , HY12P03C2 , HY12P03S , HY1303C , HY1310D , HY1310U , IRF740 , HY1403D , HY1403U , HY1403V , HY1503C1 , HY1506C2 , HY15P03C2 , HY15P03S , HY1603D .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.