HY1710P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1710P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HY1710P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1710P даташит

 ..1. Size:1249K  hymexa
 hy1710p hy1710m hy1710b hy1710mf hy1710ps hy1710pm.pdf pdf_icon

HY1710P

HY1710P/M/B/MF/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/70A RDS(ON)= 15m (typ.)@VGS = 10V S D G 100% Avalanche Tested S D G Reliable and Rugged S D G Lead- Free Devices Available TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3S (RoHS Compliant) Applications S D Switching application G S S D Power management for inverter systems D G G TO-220M

Другие IGBT... HY1607D, HY1607U, HY1607V, HY1607M, HY1607B, HY1607MF, HY1607PS, HY1607PM, IRFP250N, HY1710M, HY1710B, HY1710MF, HY1710PS, HY1710PM, HY1720P, HY1720B, HY1803C2