Справочник MOSFET. HY1710P

 

HY1710P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1710P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY1710P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1710P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1249K  hymexa
 hy1710p hy1710m hy1710b hy1710mf hy1710ps hy1710pm.pdf pdf_icon

HY1710P

HY1710P/M/B/MF/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 100V/70ARDS(ON)= 15m(typ.)@VGS = 10VSDG 100% Avalanche Tested SDG Reliable and RuggedSDG Lead- Free Devices AvailableTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3S(RoHS Compliant)Applications SD Switching applicationGSSD Power management for inverter systems DGGTO-220M

Другие MOSFET... HY1607D , HY1607U , HY1607V , HY1607M , HY1607B , HY1607MF , HY1607PS , HY1607PM , AON7408 , HY1710M , HY1710B , HY1710MF , HY1710PS , HY1710PM , HY1720P , HY1720B , HY1803C2 .

History: FDMA86108LZ | 5N65G-TN3-R | AOI600A60 | IPB60R160C6 | SSM5N16FE | CJP10N65

 

 
Back to Top

 


 
.