SSS2N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSS2N60A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 38 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SSS2N60A Datasheet (PDF)
sss2n60a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 3.892 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu
ssp2n60b sss2n60b.pdf
SSP2N60B/SSS2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast swit
sss2n60.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS2N602 Amps 600Volts2 Amps 600Volts2 Amps 600Volts2 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThe SSS2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics,such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a highrug
sss2n60.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. LTDN-CHANNEL MOSFET SSS2N602 Amps 600Volts2 Amps 600Volts2 Amps 600Volts2 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThe SSS2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics,such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
