HY1804D - аналоги и даташиты транзистора

 

HY1804D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY1804D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 461 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HY1804D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1804D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1499K  hymexa
 hy1804d hy1804v.pdf pdf_icon

HY1804D

HY1804D/UN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 40V/80A,RDS(ON)=4.0 m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=4.6 m(typ.) @ VGS=4.5 VSSD SD S Avalanche RatedG D G DG G Reliable and RuggedSSD DG Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Switching Application Pow

 8.1. Size:911K  hymexa
 hy1804p hy1804b.pdf pdf_icon

HY1804D

HY1804P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 40V/110ARDS(ON)= 3.6m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 4.4m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedSGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MO

 9.1. Size:6123K  1
 hy1808ap hy1808m hy1808b hy1808ps hy1808pm.pdf pdf_icon

HY1804D

HY1808AP/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptioneaturesF 80V/84ARDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS=10VSAvalanche Rated DSD GGReliable and Rugged SDGLead Free and Green Devices Available TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3S(RoHS Compliant)SDGSDGApplicationsTO-3PS-3L TO-3PS-3MD Power Management for Inverter Systems.G N-Channe

 9.2. Size:1648K  1
 hy1803c2.pdf pdf_icon

HY1804D

HY1803C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/80AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.8m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HY1710M , HY1710B , HY1710MF , HY1710PS , HY1710PM , HY1720P , HY1720B , HY1803C2 , IRLB4132 , HY1804V , HY1804P , HY1804B , HY1904C2 , HY1904D , HY1904U , HY1904V , HY1908D .

History: HAT1024R | HSU3018B

 

 
Back to Top

 


 
.