HY1908P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1908P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 389 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HY1908P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1908P даташит

 ..1. Size:1317K  hymexa
 hy1908p hy1908m hy1908b hy1908mf hy1908ps hy1908pm.pdf pdf_icon

HY1908P

HY1908P/M/B/ MF /PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/90A RDS(ON)= 7m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead- Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems TO-220MF-3L TO-3PS-3L TO-3PM-

 8.1. Size:4518K  hymexa
 hy1908d hy1908u hy1908s.pdf pdf_icon

HY1908P

HY1908D/U/S N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/90A, 7.8 (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)= m Avalanche Rated Reliable and Rugged S S D D G Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) S D G TO-251-3L TO-251-3L TO-252-2L Applications D Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET S Ordering and Marking Informatio

 9.1. Size:1085K  1
 hy1904c2.pdf pdf_icon

HY1908P

HY1904C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/65A RDS(ON)= 5.1m (typ.)@VGS = 10V D D D D D D D D RDS(ON)= 6.2m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Powe

 9.2. Size:712K  1
 hy1906c2.pdf pdf_icon

HY1908P

HY1906C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/70A D D D D D D D D RDS(ON)= 5.7 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Networking DC-DC Powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY1804B, HY1904C2, HY1904D, HY1904U, HY1904V, HY1908D, HY1908U, HY1908S, 5N65, HY1908M, HY1908B, HY1908MF, HY1908PS, HY1908PM, HY1915P, HY1915B, HY1920P