Справочник MOSFET. HY1908M

 

HY1908M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1908M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 389 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY1908M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1908M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1317K  hymexa
hy1908p hy1908m hy1908b hy1908mf hy1908ps hy1908pm.pdfpdf_icon

HY1908M

HY1908P/M/B/ MF /PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/90A RDS(ON)= 7m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead- Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems TO-220MF-3L TO-3PS-3L TO-3PM-

 8.1. Size:4518K  hymexa
hy1908d hy1908u hy1908s.pdfpdf_icon

HY1908M

HY1908D/U/SN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/90A,7.8 (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)= m Avalanche Rated Reliable and RuggedSSDDG Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)SDGTO-251-3L TO-251-3LTO-252-2LApplicationsD Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking Informatio

 9.1. Size:1085K  1
hy1904c2.pdfpdf_icon

HY1908M

HY1904C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 40V/65ARDS(ON)= 5.1m(typ.)@VGS = 10VD D D D D D D DRDS(ON)= 6.2m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Powe

 9.2. Size:712K  1
hy1906c2.pdfpdf_icon

HY1908M

HY1906C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 60V/70AD D D D D D D DRDS(ON)= 5.7 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Networking DC-DC Powe

Другие MOSFET... HY1904C2 , HY1904D , HY1904U , HY1904V , HY1908D , HY1908U , HY1908S , HY1908P , IRF530 , HY1908B , HY1908MF , HY1908PS , HY1908PM , HY1915P , HY1915B , HY1920P , HY1920B .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | RQ6E035AT | CHM5813ESQ2GP | APT3565BN

 

 
Back to Top

 


 
.