Справочник MOSFET. SSS2N90A

 

SSS2N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSS2N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS2N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  samsung
 sss2n90a.pdf pdf_icon

SSS2N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 7.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 5.838 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 9.1. Size:862K  fairchild semi
 ssp2n60b sss2n60b.pdf pdf_icon

SSS2N90A

SSP2N60B/SSS2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast swit

 9.2. Size:507K  samsung
 sss2n60a.pdf pdf_icon

SSS2N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 3.892 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 9.3. Size:914K  samsung
 sss2n80a.pdf pdf_icon

SSS2N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 4.688 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSR2N60A , SSR3055A , SSR3055LA , SSS10N60A , SSS1N50A , SSS1N60A , SSS2N60A , SSS2N80A , 10N60 , SSS3N80A , SSS3N90A , SSS4N55 , SSS4N60 , SSS4N60AS , SSS4N80A , SSS4N80AS , SSS4N90A .

History: AM40N06-28D | KIA7N80H-220F

 

 
Back to Top

 


 
.