HY1915P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HY1915P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 384 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HY1915P
HY1915P Datasheet (PDF)
hy1915p hy1915b.pdf

HY1915P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/85ARDS(ON)=15m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyMotor controlN-Channel MOSFETOrdering and Marking Infor
Другие MOSFET... HY1908U , HY1908S , HY1908P , HY1908M , HY1908B , HY1908MF , HY1908PS , HY1908PM , IRFP450 , HY1915B , HY1920P , HY1920B , HY1920W , HY19P03D , HY19P03U , HY19P03V , HY19P03P .
History: HY1908PM | HY3003V | H7N0312LM
History: HY1908PM | HY3003V | H7N0312LM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet