HY1920P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1920P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 392 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HY1920P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1920P даташит

 ..1. Size:899K  hymexa
 hy1920p hy1920b.pdf pdf_icon

HY1920P

S D G S D G TO-220FB-3L TO-263-2L

 8.1. Size:1617K  hymexa
 hy1920w.pdf pdf_icon

HY1920P

S D G

Другие IGBT... HY1908P, HY1908M, HY1908B, HY1908MF, HY1908PS, HY1908PM, HY1915P, HY1915B, AON7410, HY1920B, HY1920W, HY19P03D, HY19P03U, HY19P03V, HY19P03P, HY19P03B, HY3003D