HY1920B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HY1920B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 392 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для HY1920B
HY1920B Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... HY1908M , HY1908B , HY1908MF , HY1908PS , HY1908PM , HY1915P , HY1915B , HY1920P , 20N50 , HY1920W , HY19P03D , HY19P03U , HY19P03V , HY19P03P , HY19P03B , HY3003D , HY3003U .
History: IRFB7440
History: IRFB7440
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM25N15C | AGM2319EL | AGM2309EL | AGM218MAP | AGM216MNE | AGM216ME | AGM215TS | AGM215MNE | AGM210S | AGM210MAP | AGM210AP | AGM20T09LL | AGM20T09C | AGM20P30AP1 | AGM20P30AP | AGM312D
Popular searches
tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568



