Справочник MOSFET. HY1920B

 

HY1920B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1920B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 130.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 392 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1920B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  hymexa
 hy1920p hy1920b.pdf pdf_icon

HY1920B

SDG SDG TO-220FB-3L TO-263-2L

 8.1. Size:1617K  hymexa
 hy1920w.pdf pdf_icon

HY1920B

SDG

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.