Справочник MOSFET. HY19P03V

 

HY19P03V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY19P03V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 461 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HY19P03V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY19P03V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:745K  hymexa
 hy19p03d hy19p03u hy19p03v.pdf pdf_icon

HY19P03V

HY19P03 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -30V/-90A RDS(ON)= 4.8m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 6.5m(typ.)@VGS = 4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DC converter. P-Channel MOSFET Ordering a

 7.1. Size:744K  hymexa
 hy19p03p hy19p03b.pdf pdf_icon

HY19P03V

HY19P03P/BP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description -30V/-90ARDS(ON)= 4.7m(typ.)@VGS =-10VRDS(ON)= 6.5m(typ.)@VGS =-4.5VSGD 100% avalanche tested Reliable and RuggedGDS Lead Free and Green Devices AvailableTO-220FB-3L TO-263-2L (RoHS Compliant)Applications Switching Application Power Management for DC/DCP-Channel MOSFETOrdering

Другие MOSFET... HY1908PM , HY1915P , HY1915B , HY1920P , HY1920B , HY1920W , HY19P03D , HY19P03U , 10N65 , HY19P03P , HY19P03B , HY3003D , HY3003U , HY3003V , HY3008P , HY3008M , HY3008B .

History: IRF540ZP

 

 
Back to Top

 


 
.