SSS3N80A - аналоги и даташиты транзистора

 

SSS3N80A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSS3N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SSS3N80A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS3N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  samsung
 sss3n80a.pdf pdf_icon

SSS3N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 3.800 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.1. Size:506K  samsung
 sss3n90a.pdf pdf_icon

SSS3N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 4.679 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Другие MOSFET... SSR3055A , SSR3055LA , SSS10N60A , SSS1N50A , SSS1N60A , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , IRFB4227 , SSS3N90A , SSS4N55 , SSS4N60 , SSS4N60AS , SSS4N80A , SSS4N80AS , SSS4N90A , SSS4N90AS .

History: ZVNL110A

 

 
Back to Top

 


 
.