HY3312P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY3312P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 278 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 125 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 130 nC
Время нарастания (tr): 39 ns
Выходная емкость (Cd): 940 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220
HY3312P Datasheet (PDF)
..1. Size:910K hymexa
hy3312p hy3312m hy3312b hy3312ps hy3312pm.pdf
hy3312p hy3312m hy3312b hy3312ps hy3312pm.pdf
HY3312P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/130ARDS(ON)= 7.7 m(typ.) @ VGS=10VSD 100% avalanche testedGSD G Reliable and Rugged SDG Lead Free and Green Devices AvailableTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L(RoHS Compliant)SDGSDpplications GATO-3PS-3L TO-3PM-3SSwitching application
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HM50N15
