HY3312B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY3312B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 125 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HY3312B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3312B даташит

 ..1. Size:910K  hymexa
 hy3312p hy3312m hy3312b hy3312ps hy3312pm.pdf pdf_icon

HY3312B

HY3312P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET F eatures Pin Description 125V/130A RDS(ON)= 7.7 m (typ.) @ VGS=10V S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged S D G Lead Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L (RoHS Compliant) S D G S D pplications G A TO-3PS-3L TO-3PM-3S Switching application

Другие IGBT... HY3208APM, HY3215P, HY3215M, HY3215B, HY3215PS, HY3215PM, HY3312P, HY3312M, IRLB3034, HY3312PS, HY3312PM, HY3403P, HY3403B, HY3503C2, HY3606P, HY3606B, HY3704P