HY3503C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY3503C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 541 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PPAK5X6-8L

Аналог (замена) для HY3503C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3503C2 даташит

 ..1. Size:923K  1
 hy3503c2.pdf pdf_icon

HY3503C2

 ..2. Size:923K  hymexa
 hy3503c2.pdf pdf_icon

HY3503C2

 9.1. Size:579K  1
 hy3506p hy3506b.pdf pdf_icon

HY3503C2

HY3506P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/190A RDS(ON)= 3.5 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested S D G Reliable and Rugged S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and

Другие IGBT... HY3215PM, HY3312P, HY3312M, HY3312B, HY3312PS, HY3312PM, HY3403P, HY3403B, EMB04N03H, HY3606P, HY3606B, HY3704P, HY3704B, HY3708P, HY3708M, HY3708B, HY3708PS