Справочник MOSFET. HY3606P

 

HY3606P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY3606P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 162 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 130 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 857 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HY3606P

 

 

HY3606P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3996K  hymexa
hy3606p hy3606b.pdf

HY3606P
HY3606P

HY3606P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/162ARDS(ON)= 3.5 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFET

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top