Справочник MOSFET. HY3606P

 

HY3606P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY3606P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 162 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 857 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY3606P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3606P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3996K  hymexa
 hy3606p hy3606b.pdf pdf_icon

HY3606P

HY3606P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/162ARDS(ON)= 3.5 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFET

Другие MOSFET... HY3312P , HY3312M , HY3312B , HY3312PS , HY3312PM , HY3403P , HY3403B , HY3503C2 , MMD60R360PRH , HY3606B , HY3704P , HY3704B , HY3708P , HY3708M , HY3708B , HY3708PS , HY3708PM .

History: IGT60R190D1S | SPP03N60S5 | 50N06A | AM50N10-14I | SPD50N03S2L-06G | APT30F60J | HX2305

 

 
Back to Top

 


 
.