Справочник MOSFET. HY3606P

 

HY3606P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY3606P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 162 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 857 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3606P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3996K  hymexa
hy3606p hy3606b.pdfpdf_icon

HY3606P

HY3606P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/162ARDS(ON)= 3.5 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFET

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STT01N20 | HY3210PM | STP90NF03L

 

 
Back to Top

 


 
.