HY3708M - описание и поиск аналогов

 

Аналоги HY3708M. Основные параметры


   Наименование производителя: HY3708M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 288 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 995 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY3708M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3708M даташит

 ..1. Size:1054K  hymexa
 hy3708p hy3708m hy3708b hy3708ps hy3708pm.pdf pdf_icon

HY3708M

HY3708P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET atures Pin Description Fe 80V/170A RDS(ON)= 3.8 m (typ.) @ VGS=10V S D G S 100% avalanche tested D G S D Reliable and Rugged G TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G TO-3PS-3L TO-3PM-3S Applications Power Management for Inverter S

 9.1. Size:1014K  hymexa
 hy3704p hy3704b.pdf pdf_icon

HY3708M

HY3704P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 40V/176A RDS(ON)= 3.0 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S GD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GDS TO-220FB-3L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for DC/DC N-Channel MOSFET Ordering a

Другие MOSFET... HY3403P , HY3403B , HY3503C2 , HY3606P , HY3606B , HY3704P , HY3704B , HY3708P , IRFP064N , HY3708B , HY3708PS , HY3708PM , HY3712P , HY3712M , HY3712B , HY3712PS , HY3712PM .

History: RU1H36S

 

 

 


 
↑ Back to Top
.