HY3708B - аналоги и даташиты транзистора

 

HY3708B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY3708B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 288 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 995 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HY3708B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3708B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1054K  hymexa
 hy3708p hy3708m hy3708b hy3708ps hy3708pm.pdf pdf_icon

HY3708B

HY3708P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETatures Pin DescriptionFe 80V/170ARDS(ON)= 3.8 m(typ.) @ VGS=10VSDGS 100% avalanche testedDGSD Reliable and RuggedGTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGTO-3PS-3L TO-3PM-3SApplications Power Management for Inverter S

 9.1. Size:1014K  hymexa
 hy3704p hy3704b.pdf pdf_icon

HY3708B

HY3704P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/176ARDS(ON)= 3.0 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged SGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2LTO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFETOrdering a

Другие MOSFET... HY3403B , HY3503C2 , HY3606P , HY3606B , HY3704P , HY3704B , HY3708P , HY3708M , IRF730 , HY3708PS , HY3708PM , HY3712P , HY3712M , HY3712B , HY3712PS , HY3712PM , HY3906W .

History: HFS5N70S | FDC602PF095 | SIHFIBC20G | IPS040N03L | FDBL86366F085 | IPS050N03L | OSG70R420DEF

 

 
Back to Top

 


 
.