HY3712B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HY3712B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 339 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HY3712B Datasheet (PDF)
hy3712p hy3712m hy3712b hy3712ps hy3712pm.pdf

HY3712P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/170ARDS(ON)= 6.3 m(typ.) @ VGS=10VSDG 100% avalanche tested SDGS Reliable and Rugged DGTO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSSDDGGTO-220MF-3L TO-3PS-3L TO-3PM-3SpplicationsASwitchi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HY4306B
History: HY4306B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031