HY3712B - аналоги и даташиты транзистора

 

HY3712B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY3712B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 339 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 125 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HY3712B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3712B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  hymexa
 hy3712p hy3712m hy3712b hy3712ps hy3712pm.pdf pdf_icon

HY3712B

HY3712P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 125V/170ARDS(ON)= 6.3 m(typ.) @ VGS=10VSDG 100% avalanche tested SDGS Reliable and Rugged DGTO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSSDDGGTO-220MF-3L TO-3PS-3L TO-3PM-3SpplicationsASwitchi

Другие MOSFET... HY3704B , HY3708P , HY3708M , HY3708B , HY3708PS , HY3708PM , HY3712P , HY3712M , IRF840 , HY3712PS , HY3712PM , HY3906W , HY3906A , HY3912W , HY3912A , HY4004P , HY4004B .

History: LSH60R2K5HT | 8N65KG-TA3-T | IRFN044SMD | SVS80R430FE3 | 2SJ343 | NCE65N290

 

 
Back to Top

 


 
.