HY3906A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY3906A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 283 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 1014 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO3P
HY3906A Datasheet (PDF)
hy3906w hy3906a.pdf
HY3906W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 2.6 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDDGG(RoHS Compliant)TO-247A-3LTO-3P-3LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Mar
hy3906p hy3906b.pdf
HY3906P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.2 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche testedSD Reliable and Rugged GSD Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Mar
hy3906p-b.pdf
HY3906P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching applicationG N-Channel MOSFET Power Management for Inverter Systems.S
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
