HY4008B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HY4008B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 345 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 197 nC
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HY4008B Datasheet (PDF)
hy4008p hy4008m hy4008b hy4008ps hy4008pm.pdf

HY4008P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin Descriptioneatures F80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10VS D S100% avalanche testedD GG SD Reliable and RuggedG TO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-263-2LTO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsATO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-3PS-
hy4008b6.pdf

HY4008B6N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 80V/255ARDS(ON)= 2.6m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Pin1 Switch application Brushless Motor Drive Pin2,3,5,6,7 N-Channel MOSFET Ordering and Marking Info
hy4008.pdf

HY4008W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking Infor
hy4008w hy4008a.pdf

HY4008W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/200ARDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking Infor
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: FQB5P20TM
History: FQB5P20TM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918