HY5110A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HY5110A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 316 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1558 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TO3P
HY5110A Datasheet (PDF)
hy5110w hy5110a.pdf

HY5110W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/316A2.1 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking InformationPackage CodeW AW
Другие MOSFET... HY4504P , HY4504B , HY4504W , HY4504A , HY4903P , HY4903B , HY4903B6 , HY5110W , IRFP260 , HY5204W , HY5204A , HY5208W , HY5208A , HY5608W , HY5608A , HYG018N10NS1B6 , HYG020N04NA1P .
History: STP4435A
History: STP4435A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD | SLD80N02TB | SLD65R600E7C | SLD65R380E7C | SLD65R280E7C | SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7
Popular searches
2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198