Справочник MOSFET. HY5110A

 

HY5110A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY5110A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 316 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 356 nC
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1558 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5110A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2766K  hymexa
 hy5110w hy5110a.pdf pdf_icon

HY5110A

HY5110W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/316A2.1 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking InformationPackage CodeW AW

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FQB17N08TM | STP9NK90Z | HY3312PM | FQAF6N80 | HY3408AM

 

 
Back to Top

 


 
.