Справочник MOSFET. HY5110A

 

HY5110A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY5110A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 316 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 356 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1558 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5110A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2766K  hymexa
 hy5110w hy5110a.pdf pdf_icon

HY5110A

HY5110W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/316A2.1 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SSDDGGTO-247-3L TO-3P-3LApplicationsD Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking InformationPackage CodeW AW

Другие MOSFET... HY4504P , HY4504B , HY4504W , HY4504A , HY4903P , HY4903B , HY4903B6 , HY5110W , IRFP260 , HY5204W , HY5204A , HY5208W , HY5208A , HY5608W , HY5608A , HYG018N10NS1B6 , HYG020N04NA1P .

History: STP4435A

 

 
Back to Top

 


 
.