HY5208W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY5208W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HY5208W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY5208W даташит

 ..1. Size:656K  hymexa
 hy5208w hy5208a.pdf pdf_icon

HY5208W

HY5208W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/320A 1.7 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available S S D (RoHS Compliant) D G G TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

 9.1. Size:762K  hymexa
 hy5204w hy5204a.pdf pdf_icon

HY5208W

HY5204W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S S D D G G TO-247A-3L TO-3P-3L Applications Ordering and Marking Information

Другие IGBT... HY4504A, HY4903P, HY4903B, HY4903B6, HY5110W, HY5110A, HY5204W, HY5204A, IRF9540N, HY5208A, HY5608W, HY5608A, HYG018N10NS1B6, HYG020N04NA1P, HYG020N04NA1B, HYG020N04NA1PL, HYG023N03LR1D