Справочник MOSFET. SSS4N90AS

 

SSS4N90AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSS4N90AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS4N90AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:852K  samsung
sss4n90as.pdfpdf_icon

SSS4N90AS

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.7 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 3.054 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 6.1. Size:496K  samsung
sss4n90a.pdfpdf_icon

SSS4N90AS

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 5.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 4.181 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 9.1. Size:888K  fairchild semi
ssp4n60b sss4n60b.pdfpdf_icon

SSS4N90AS

SSP4N60B/SSS4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchi

 9.2. Size:125K  samsung
sss4n80as.pdfpdf_icon

SSS4N90AS

SSS4N80ASAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220F Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 2.450 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

Другие MOSFET... SSS3N80A , SSS3N90A , SSS4N55 , SSS4N60 , SSS4N60AS , SSS4N80A , SSS4N80AS , SSS4N90A , 2SK3878 , SSS5N80A , SSS5N90A , SSS6N55 , SSS6N60 , SSS6N70A , SSS6N80A , SSS6N90A , SSS70N10A .

 

 
Back to Top

 


 
.