Справочник MOSFET. HYG023N03LR1U

 

HYG023N03LR1U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG023N03LR1U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 561 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG023N03LR1U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1225K  hymexa
hyg023n03lr1d hyg023n03lr1u hyg023n03lr1v.pdfpdf_icon

HYG023N03LR1U

HYG023N03LR1D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/110ARDS(ON)= 2.1m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.)@VGS = 4.5VSD SG D 100% Avalanche TestedG Reliable and Rugged SD G Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching Application Power Mana

 2.1. Size:793K  1
hyg023n03lr1c2.pdfpdf_icon

HYG023N03LR1U

HYG023N03LR1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/125AD D D D D D D D RDS(ON)= 1.5m (typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.1m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S S S S S G Pin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/

 9.1. Size:1497K  1
hyg025n06ls1c2.pdfpdf_icon

HYG023N03LR1U

HYG025N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 60V/170ARDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

 9.2. Size:1254K  1
hyg025n04na1c2.pdfpdf_icon

HYG023N03LR1U

HYG025N04NA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 40V/190ARDS(ON)= 1.4m(typ.) @VGS = 10VD D D DD D D D 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPac

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF5305STR | SM6002NSKP | SIR890DP | STW80NE06-10 | BL20N60-W | TSM3441CX6 | NVH4L040N120SC1

 

 
Back to Top

 


 
.