Справочник MOSFET. HYG045N03LA1C2

 

HYG045N03LA1C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG045N03LA1C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8L
 

 Аналог (замена) для HYG045N03LA1C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG045N03LA1C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1346K  1
hyg045n03la1c2.pdfpdf_icon

HYG045N03LA1C2

HYG045N03LA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/78AD D D DD D D DRDS(ON)= 3.6 m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.8 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETO

 ..2. Size:1346K  hymexa
hyg045n03la1c2.pdfpdf_icon

HYG045N03LA1C2

HYG045N03LA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/78AD D D DD D D DRDS(ON)= 3.6 m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.8 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETO

 1.1. Size:1340K  1
hyg045n03la1c1.pdfpdf_icon

HYG045N03LA1C2

HYG045N03LA1C1N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/50ARDS(ON)=3.9 m (typ.) @VGS = 10VRDS(ON)=5.2 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices AvailablePin1(RoHS Compliant)Applications Switching Application Battery ProtectionSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking Info

 9.1. Size:863K  1
hyg042n10ns1p hyg042n10ns1b.pdfpdf_icon

HYG045N03LA1C2

HYG042N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/160A RDS(ON)=3.5m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information

Другие MOSFET... HYG023N03LR1D , HYG023N03LR1U , HYG023N03LR1V , HYG025N06LS1C2 , HYG025N06LS1P , HYG032N03LR1C1 , HYG035N02KA1C2 , HYG035N06LS1C2 , IRLZ44N , HYG050N08NS1P , HYG050N08NS1B , HYG050N13NS1B6 , HYG060N08NS1D , HYG060N08NS1U , HYG060N08NS1V , HYG060N08NS1P , HYG060N08NS1B .

History: IRF540ZSPBF | VBE1638 | PSMN5R0-100PS | AFN08N50T220T | CMRDM3590 | MMQ60R115PTH

 

 
Back to Top

 


 
.