Справочник MOSFET. HYG060P04LQ1D

 

HYG060P04LQ1D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG060P04LQ1D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 431 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG060P04LQ1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:934K  hymexa
hyg060p04lq1d hyg060p04lq1u hyg060p04lq1v.pdfpdf_icon

HYG060P04LQ1D

HYG060P04LQ1D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -40V/-70A RDS(ON)= 5.8 m(typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 8.5 m(typ.) @VGS = -4.5V SD SG D S 100% avalanche tested G S S Reliable and Rugged D G S Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching

 8.1. Size:627K  hymexa
hyg060n08ns1p hyg060n08ns1b.pdfpdf_icon

HYG060P04LQ1D

HYG060N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/105A RDS(ON)=5.5 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Channel MOSFET

 8.2. Size:871K  hymexa
hyg060n08ns1d hyg060n08ns1u hyg060n08ns1v.pdfpdf_icon

HYG060P04LQ1D

HYG060N08NS1D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/80A RDS(ON)=5.7 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D SG D GLead-Free and Green Devices Available SD (RoHS Compliant) GTO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching application Power management for inverter systems N-Ch

 9.1. Size:1408K  hymexa
hyg065n15ns1p hyg065n15ns1b.pdfpdf_icon

HYG060P04LQ1D

HYG065N15NS1P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/165ARDS(ON)=6.2m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPa

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CRTD063N04L | FQD12N20LTMF085 | NVB6410AN | IRFB41N15DPBF | IRF3707SPBF | AP4N3R6P | RDX060N60FU6

 

 
Back to Top

 


 
.