HYG065N15NS1B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG065N15NS1B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 165 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 116.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 888 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HYG065N15NS1B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG065N15NS1B даташит

 ..1. Size:1408K  hymexa
 hyg065n15ns1p hyg065n15ns1b.pdf pdf_icon

HYG065N15NS1B

HYG065N15NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 150V/165A RDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Pa

 0.1. Size:1465K  hymexa
 hyg065n15ns1b6.pdf pdf_icon

HYG065N15NS1B

HYG065N15NS1B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 150V/165A RDS(ON)=6.0m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply Pin1 Pin2,3,5,6,7 Ordering and Marking Informat

 7.1. Size:709K  hymexa
 hyg065n07ns1p hyg065n07ns1b.pdf pdf_icon

HYG065N15NS1B

HYG065N07NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 70V/100A RDS(ON)=5.5 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Channel MOSFET

 7.2. Size:744K  hymexa
 hyg065n07ns1d hyg065n07ns1u hyg065n07ns1v.pdf pdf_icon

HYG065N15NS1B

HYG065N07NS1D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 70V/70A RDS(ON)= 6m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S D Reliable and Rugged S S G D D G G Halogen Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching application Power Management for Inverter Syste

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HYG064N08NA1B, HYG065N07NS1D, HYG065N07NS1U, HYG065N07NS1V, HYG065N07NS1P, HYG065N07NS1B, HYG065N15NS1B6, HYG065N15NS1P, IRF520, HYG068N08NR1P, HYG080N10LS1D, HYG082N03LR1C1, HYG092N10LS1C2, HYG110P04LQ2D, HYG110P04LQ2U, HYG110P04LQ2V, HYG210P06LQ1D