HYG068N08NR1P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG068N08NR1P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 566 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HYG068N08NR1P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG068N08NR1P даташит

 ..1. Size:941K  hymexa
hyg068n08nr1p.pdfpdf_icon

HYG068N08NR1P

HYG068N08NR1P N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/160A RDS(ON)= 6m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead- Free Devices Available S D (RoHS Compliant) G TO-220FB-3L Applications Power management in Inverter System Electric vehicle controllers Lithium battery protection board Switching Applicat

 9.1. Size:1408K  hymexa
hyg065n15ns1p hyg065n15ns1b.pdfpdf_icon

HYG068N08NR1P

HYG065N15NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 150V/165A RDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Pa

 9.2. Size:934K  hymexa
hyg060p04lq1d hyg060p04lq1u hyg060p04lq1v.pdfpdf_icon

HYG068N08NR1P

HYG060P04LQ1D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -40V/-70A RDS(ON)= 5.8 m (typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 8.5 m (typ.) @VGS = -4.5V S D S G D S 100% avalanche tested G S S Reliable and Rugged D G S Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching

 9.3. Size:1248K  hymexa
hyg064n08na1p hyg064n08na1b.pdfpdf_icon

HYG068N08NR1P

HYG064N08NA1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/120A RDS(ON)= 6.4m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged S D Lead-Free and Green Devices Available G S (RoHS Compliant) D G TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter system N-Channel MOSFET Ordering and Ma

Другие IGBT... HYG065N07NS1D, HYG065N07NS1U, HYG065N07NS1V, HYG065N07NS1P, HYG065N07NS1B, HYG065N15NS1B6, HYG065N15NS1P, HYG065N15NS1B, IRF2807, HYG080N10LS1D, HYG082N03LR1C1, HYG092N10LS1C2, HYG110P04LQ2D, HYG110P04LQ2U, HYG110P04LQ2V, HYG210P06LQ1D, HYG210P06LQ1U