Справочник MOSFET. SSS6N60

 

SSS6N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSS6N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS6N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  1
 sss6n55 sss6n60.pdf pdf_icon

SSS6N60

 ..2. Size:26K  samsung
 irfs8xx irfs9xxx sss4n60 sss6n60.pdf pdf_icon

SSS6N60

 9.1. Size:501K  samsung
 sss6n70a.pdf pdf_icon

SSS6N60

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.2. Size:506K  samsung
 sss6n90a.pdf pdf_icon

SSS6N60

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.829 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZXMN6A07ZTA | SSQ5N50 | HGD210N12SL | 2N4338 | SI1402DH | FK25SM-6 | 16N50F

 

 
Back to Top

 


 
.