SSS6N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

SSS6N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSS6N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SSS6N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS6N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  1
 sss6n55 sss6n60.pdf pdf_icon

SSS6N60

 ..2. Size:26K  samsung
 irfs8xx irfs9xxx sss4n60 sss6n60.pdf pdf_icon

SSS6N60

 9.1. Size:501K  samsung
 sss6n70a.pdf pdf_icon

SSS6N60

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.2. Size:506K  samsung
 sss6n90a.pdf pdf_icon

SSS6N60

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.829 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSS4N60AS , SSS4N80A , SSS4N80AS , SSS4N90A , SSS4N90AS , SSS5N80A , SSS5N90A , SSS6N55 , K3569 , SSS6N70A , SSS6N80A , SSS6N90A , SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , SSS80N06A , SSU1N50 .

History: WSP4807 | SI1402DH | SP8013

 

 
Back to Top

 


 
.