HYG210P06LQ1V - аналоги и даташиты транзистора

 

HYG210P06LQ1V - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HYG210P06LQ1V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HYG210P06LQ1V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG210P06LQ1V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1367K  hymexa
 hyg210p06lq1d hyg210p06lq1u hyg210p06lq1v.pdf pdf_icon

HYG210P06LQ1V

HYG210P06LQ1 D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -60V/-40ARDS(ON)= 19m(typ.) @VGS = -10VRDS(ON)= 25m(typ.) @VGS = -4.5VSD SG 100% avalanche tested D G Reliable and RuggedSD G Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DCP-Channe

Другие MOSFET... HYG080N10LS1D , HYG082N03LR1C1 , HYG092N10LS1C2 , HYG110P04LQ2D , HYG110P04LQ2U , HYG110P04LQ2V , HYG210P06LQ1D , HYG210P06LQ1U , IRF1405 , HYG400P10LR1D , HYG400P10LR1U , HYG400P10LR1V , HYG800P10LR1D , HYG800P10LR1U , HYG800P10LR1V , HSD4N65 , HSU4N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.