HYG800P10LR1D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HYG800P10LR1D
Маркировка: G800P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 42.6 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 111 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.098 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для HYG800P10LR1D
HYG800P10LR1D Datasheet (PDF)
..1. Size:1474K hymexa
hyg800p10lr1d hyg800p10lr1u hyg800p10lr1v.pdf
hyg800p10lr1d hyg800p10lr1u hyg800p10lr1v.pdf
HYG800P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-20ARDS(ON)= 77m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 86m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management in DC/DC converter. Load switching.P-Chann
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
