HYG800P10LR1D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG800P10LR1D

Маркировка: G800P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42.6 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HYG800P10LR1D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG800P10LR1D даташит

 ..1. Size:1474K  hymexa
 hyg800p10lr1d hyg800p10lr1u hyg800p10lr1v.pdf pdf_icon

HYG800P10LR1D

HYG800P10LR1D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -100V/-20A RDS(ON)= 77m (typ.) @ VGS = -10V RDS(ON)= 86m (typ.) @ VGS = -4.5V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management in DC/DC converter. Load switching. P-Chann

Другие IGBT... HYG110P04LQ2U, HYG110P04LQ2V, HYG210P06LQ1D, HYG210P06LQ1U, HYG210P06LQ1V, HYG400P10LR1D, HYG400P10LR1U, HYG400P10LR1V, IRFZ46N, HYG800P10LR1U, HYG800P10LR1V, HSD4N65, HSU4N65, HSP4N65, HSF4N65, HSBA0048, HSBA0139