Справочник MOSFET. HSBA15810C

 

HSBA15810C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBA15810C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 609 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK5X6
 

 Аналог (замена) для HSBA15810C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA15810C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  1
 hsba15810c.pdf pdf_icon

HSBA15810C

HSBA15810C N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 100 V 100% EAS Guaranteed Green Device Available RDS(ON),typ 3.7 m Super Low RDS(ON) Advanced high cell density Trench ID 100 A technology PRPAK5*6 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous rectifica

 ..2. Size:831K  huashuo
 hsba15810c.pdf pdf_icon

HSBA15810C

HSBA15810C N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 100 V 100% EAS Guaranteed Green Device Available RDS(ON),typ 3.7 m Super Low RDS(ON) Advanced high cell density Trench ID 100 A technology PRPAK5*6 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous rectifica

 9.1. Size:646K  1
 hsba100p03.pdf pdf_icon

HSBA15810C

HSBA100P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSBA100P03 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 2.6 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -100 A The HSBA100P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full func

 9.2. Size:646K  huashuo
 hsba100p03.pdf pdf_icon

HSBA15810C

HSBA100P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSBA100P03 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 2.6 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -100 A The HSBA100P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full func

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HSD4N65 , HSU4N65 , HSP4N65 , HSF4N65 , HSBA0048 , HSBA0139 , HSBA060N10 , HSBA100P03 , AO3407 , HSBA20N15S , HSBA3004 , HSBA3014 , HSBA3031 , HSBA3048 , HSBA3050 , HSBA3052 , HSBA3054 .

History: AO4472 | IPI023NE7N3G | RK7002BMHZG | SSD02N65 | IRLZ44ZL | SMG2302 | IPN80R1K4P7

 

 
Back to Top

 


 
.