HSBA15810C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBA15810C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 609 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: PRPAK5X6

Аналог (замена) для HSBA15810C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA15810C даташит

 ..1. Size:831K  1
 hsba15810c.pdf pdf_icon

HSBA15810C

HSBA15810C N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 100 V 100% EAS Guaranteed Green Device Available RDS(ON),typ 3.7 m Super Low RDS(ON) Advanced high cell density Trench ID 100 A technology PRPAK5*6 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous rectifica

 ..2. Size:831K  huashuo
 hsba15810c.pdf pdf_icon

HSBA15810C

HSBA15810C N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 100 V 100% EAS Guaranteed Green Device Available RDS(ON),typ 3.7 m Super Low RDS(ON) Advanced high cell density Trench ID 100 A technology PRPAK5*6 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous rectifica

 9.1. Size:646K  1
 hsba100p03.pdf pdf_icon

HSBA15810C

HSBA100P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSBA100P03 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 2.6 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -100 A The HSBA100P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full func

 9.2. Size:646K  huashuo
 hsba100p03.pdf pdf_icon

HSBA15810C

HSBA100P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSBA100P03 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 2.6 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -100 A The HSBA100P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full func

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HSD4N65, HSU4N65, HSP4N65, HSF4N65, HSBA0048, HSBA0139, HSBA060N10, HSBA100P03, AO4407A, HSBA20N15S, HSBA3004, HSBA3014, HSBA3031, HSBA3048, HSBA3050, HSBA3052, HSBA3054