Справочник MOSFET. HSBA3048

 

HSBA3048 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBA3048
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1916 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK5X6
 

 Аналог (замена) для HSBA3048

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA3048 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:945K  1
hsba3048.pdfpdf_icon

HSBA3048

HSBA3048 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summary VDS 30 V 100% UIS Tested Advanced Trench Technology RDS(ON),typ 1.3 m Low Gate Charge High Current Capability ID 100 A RoHS and Halogen-Free Compliant Applications PRPAK5X6 Pin Configuration Power Management in Desktop Computer DC/DC Converters Absolute Maxi

 ..2. Size:945K  huashuo
hsba3048.pdfpdf_icon

HSBA3048

HSBA3048 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summary VDS 30 V 100% UIS Tested Advanced Trench Technology RDS(ON),typ 1.3 m Low Gate Charge High Current Capability ID 100 A RoHS and Halogen-Free Compliant Applications PRPAK5X6 Pin Configuration Power Management in Desktop Computer DC/DC Converters Absolute Maxi

 8.1. Size:698K  1
hsba3050.pdfpdf_icon

HSBA3048

HSBA3050 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Applications Power Management in Desktop Computer or VDS 30 V DC/DC Converters RDS(ON),typ 3 m Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial. ID 75 A Features 100% EAS Guaranteed Green Device Available PRPAK5*6 Pin Configuration Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect

 8.2. Size:395K  1
hsba3014.pdfpdf_icon

HSBA3048

HSBA3014 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA3014 is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),max 12 m synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSBA3014 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие MOSFET... HSBA0139 , HSBA060N10 , HSBA100P03 , HSBA15810C , HSBA20N15S , HSBA3004 , HSBA3014 , HSBA3031 , IRFZ44N , HSBA3050 , HSBA3052 , HSBA3054 , HSBA3056 , HSBA3058 , HSBA3060 , HSBA3062 , HSBA3094 .

History: STB35N60DM2 | 2SJ583LS | STB20N65M5 | NP55N055SUG | WMK18N70EM | WMO50P04T1 | WMN10N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.