HSBA4052 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBA4052

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: PRPAK5X6

Аналог (замена) для HSBA4052

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA4052 даташит

 ..1. Size:623K  huashuo
hsba4052.pdfpdf_icon

HSBA4052

HSBA4052 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA4052 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 6.9 m converter applications. ID 50 A The HSBA4052 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

 8.1. Size:438K  1
hsba4006.pdfpdf_icon

HSBA4052

HSBA4006 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 40 V The HSBA4006 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 7.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 60 A The HSBA4006 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

 8.2. Size:556K  1
hsba4016.pdfpdf_icon

HSBA4052

HSBA4016 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA4016 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 6.5 m converter applications. ID 75 A The HSBA4016 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function relia

 8.3. Size:690K  1
hsba4094.pdfpdf_icon

HSBA4052

HSBA4094 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 40 V 100% UIS Tested Advanced Trench Technology RDS(ON),typ 2.5 m Low Gate Charge High Current Capability ID 118 A RoHS and Halogen-Free Compliant 100% EAS Guaranteed Applications PRPAK5X6 Pin Configuration SMPS Synchronous Rectification DC/DC Conve

Другие IGBT... HSBA3058, HSBA3060, HSBA3062, HSBA3094, HSBA3115, HSBA4006, HSBA4016, HSBA4048, IRFB4110, HSBA4094, HSBA6016, HSBA6032, HSBA6040, HSBA6048, HSBA6066, HSBA8024A, HSBA8048