HSBA6048 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBA6048

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1522 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: PRPAK5X6

Аналог (замена) для HSBA6048

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA6048 даташит

 ..1. Size:637K  1
 hsba6048.pdf pdf_icon

HSBA6048

HSBA6048 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA6048 is the high cell density trenched N- V 60 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 3.6 m DS(ON),max converter applications. I 85 A D The HSBA6048 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

 ..2. Size:637K  huashuo
 hsba6048.pdf pdf_icon

HSBA6048

HSBA6048 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA6048 is the high cell density trenched N- V 60 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 3.6 m DS(ON),max converter applications. I 85 A D The HSBA6048 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

 7.1. Size:497K  1
 hsba6040.pdf pdf_icon

HSBA6048

HSBA6040 Description Product Summary The HSBA6040 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 5.2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 116 A The HSBA6040 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. l Super Low Gat

 7.2. Size:497K  huashuo
 hsba6040.pdf pdf_icon

HSBA6048

HSBA6040 Description Product Summary The HSBA6040 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 5.2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 116 A The HSBA6040 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. l Super Low Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HSBA4006, HSBA4016, HSBA4048, HSBA4052, HSBA4094, HSBA6016, HSBA6032, HSBA6040, IRF3710, HSBA6066, HSBA8024A, HSBA8048, HSBA8066, HSBB0012, HSBB02P15, HSBB2627, HSBB3002