HSBA8048 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBA8048

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: PRPAK5X6

Аналог (замена) для HSBA8048

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA8048 даташит

 ..1. Size:636K  1
 hsba8048.pdf pdf_icon

HSBA8048

HSBA8048 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V The HSBA8048 is the high cell density trenched N- DS 80 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 4.3 m DS(ON),TYP gate charge for most of the synchronous rectification applications. I 48 A D The HSBA8048 meet the RoHS and Halogen-Free compliant product requirement, 100% EAS guaranteed w

 ..2. Size:636K  huashuo
 hsba8048.pdf pdf_icon

HSBA8048

HSBA8048 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V The HSBA8048 is the high cell density trenched N- DS 80 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 4.3 m DS(ON),TYP gate charge for most of the synchronous rectification applications. I 48 A D The HSBA8048 meet the RoHS and Halogen-Free compliant product requirement, 100% EAS guaranteed w

 8.1. Size:711K  1
 hsba8066.pdf pdf_icon

HSBA8048

HSBA8066 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Applications Product Summary VDS 80 V High Frequency Switching and Synchronous Rectification. RDS(ON),TYP 7.2 m DC/DC Converter. Motor Drivers. ID 60 A Features PRPAK5X6 Pin Configuration 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline Ad

 8.2. Size:949K  huashuo
 hsba8024a.pdf pdf_icon

HSBA8048

HSBA8024A N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V The HSBA8024A is the high cell density trenched DS 80 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 6.5 m DS(ON),MAX and gate charge for most of the synchronous rectification applications. I 122 A D The HSBA8024A meet the RoHS and Halogen- Free compliant product requirement, 100% EAS guarantee

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HSBA4052, HSBA4094, HSBA6016, HSBA6032, HSBA6040, HSBA6048, HSBA6066, HSBA8024A, IRFB4115, HSBA8066, HSBB0012, HSBB02P15, HSBB2627, HSBB3002, HSBB3004, HSBB3016, HSBB3052