Справочник MOSFET. HSBA8066

 

HSBA8066 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBA8066
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 317 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK5X6
 

 Аналог (замена) для HSBA8066

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA8066 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  1
hsba8066.pdfpdf_icon

HSBA8066

HSBA8066 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Applications Product Summary VDS 80 V High Frequency Switching and Synchronous Rectification. RDS(ON),TYP 7.2 m DC/DC Converter. Motor Drivers. ID 60 A Features PRPAK5X6 Pin Configuration 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline Ad

 ..2. Size:711K  huashuo
hsba8066.pdfpdf_icon

HSBA8066

HSBA8066 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Applications Product Summary VDS 80 V High Frequency Switching and Synchronous Rectification. RDS(ON),TYP 7.2 m DC/DC Converter. Motor Drivers. ID 60 A Features PRPAK5X6 Pin Configuration 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline Ad

 8.1. Size:636K  1
hsba8048.pdfpdf_icon

HSBA8066

HSBA8048 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V The HSBA8048 is the high cell density trenched N- DS 80 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 4.3 m DS(ON),TYPgate charge for most of the synchronous rectification applications. I 48 A DThe HSBA8048 meet the RoHS and Halogen-Free compliant product requirement, 100% EAS guaranteed w

 8.2. Size:949K  huashuo
hsba8024a.pdfpdf_icon

HSBA8066

HSBA8024A N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V The HSBA8024A is the high cell density trenched DS 80 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 6.5 m DS(ON),MAXand gate charge for most of the synchronous rectification applications. I 122 A DThe HSBA8024A meet the RoHS and Halogen-Free compliant product requirement, 100% EAS guarantee

Другие MOSFET... HSBA4094 , HSBA6016 , HSBA6032 , HSBA6040 , HSBA6048 , HSBA6066 , HSBA8024A , HSBA8048 , IRF9540 , HSBB0012 , HSBB02P15 , HSBB2627 , HSBB3002 , HSBB3004 , HSBB3016 , HSBB3052 , HSBB3054 .

History: JFAM30N60E | FDA79N15 | WMM15N65F2 | NCE4005

 

 
Back to Top

 


 
.