Справочник MOSFET. HSBB0012

 

HSBB0012 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBB0012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
 

 Аналог (замена) для HSBB0012

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB0012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  1
 hsbb0012.pdf pdf_icon

HSBB0012

HSBB0012 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSBB0012 is new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching. RDS(ON),TYP 93 m Making it ideal for high efficiency power management applications. ID 20 A The HSBB0012 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability appro

 ..2. Size:525K  huashuo
 hsbb0012.pdf pdf_icon

HSBB0012

HSBB0012 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSBB0012 is new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching. RDS(ON),TYP 93 m Making it ideal for high efficiency power management applications. ID 20 A The HSBB0012 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability appro

 9.1. Size:835K  1
 hsbb02p15.pdf pdf_icon

HSBB0012

HSBB02P15 P-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB02P15 is the high cell density trenched V -150 V DSP-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 780 m DS(ON),Maxconverter applications. I -2 A DThe HSBB02P15 meet the RoHS and Green Product requirement. 100% EAS Guaranteed PRP

 9.2. Size:835K  huashuo
 hsbb02p15.pdf pdf_icon

HSBB0012

HSBB02P15 P-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB02P15 is the high cell density trenched V -150 V DSP-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 780 m DS(ON),Maxconverter applications. I -2 A DThe HSBB02P15 meet the RoHS and Green Product requirement. 100% EAS Guaranteed PRP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HSBA6016 , HSBA6032 , HSBA6040 , HSBA6048 , HSBA6066 , HSBA8024A , HSBA8048 , HSBA8066 , IRFB4115 , HSBB02P15 , HSBB2627 , HSBB3002 , HSBB3004 , HSBB3016 , HSBB3052 , HSBB3054 , HSBB3056 .

History: IRFB4310GPBF

 

 
Back to Top

 


 
.