Справочник MOSFET. HSBB0012

 

HSBB0012 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBB0012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB0012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  1
 hsbb0012.pdf pdf_icon

HSBB0012

HSBB0012 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSBB0012 is new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching. RDS(ON),TYP 93 m Making it ideal for high efficiency power management applications. ID 20 A The HSBB0012 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability appro

 ..2. Size:525K  huashuo
 hsbb0012.pdf pdf_icon

HSBB0012

HSBB0012 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSBB0012 is new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching. RDS(ON),TYP 93 m Making it ideal for high efficiency power management applications. ID 20 A The HSBB0012 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability appro

 9.1. Size:835K  1
 hsbb02p15.pdf pdf_icon

HSBB0012

HSBB02P15 P-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB02P15 is the high cell density trenched V -150 V DSP-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 780 m DS(ON),Maxconverter applications. I -2 A DThe HSBB02P15 meet the RoHS and Green Product requirement. 100% EAS Guaranteed PRP

 9.2. Size:835K  huashuo
 hsbb02p15.pdf pdf_icon

HSBB0012

HSBB02P15 P-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB02P15 is the high cell density trenched V -150 V DSP-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 780 m DS(ON),Maxconverter applications. I -2 A DThe HSBB02P15 meet the RoHS and Green Product requirement. 100% EAS Guaranteed PRP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.