Справочник MOSFET. HSBB02P15

 

HSBB02P15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBB02P15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB02P15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:835K  1
 hsbb02p15.pdf pdf_icon

HSBB02P15

HSBB02P15 P-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB02P15 is the high cell density trenched V -150 V DSP-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 780 m DS(ON),Maxconverter applications. I -2 A DThe HSBB02P15 meet the RoHS and Green Product requirement. 100% EAS Guaranteed PRP

 ..2. Size:835K  huashuo
 hsbb02p15.pdf pdf_icon

HSBB02P15

HSBB02P15 P-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB02P15 is the high cell density trenched V -150 V DSP-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 780 m DS(ON),Maxconverter applications. I -2 A DThe HSBB02P15 meet the RoHS and Green Product requirement. 100% EAS Guaranteed PRP

 9.1. Size:525K  1
 hsbb0012.pdf pdf_icon

HSBB02P15

HSBB0012 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSBB0012 is new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching. RDS(ON),TYP 93 m Making it ideal for high efficiency power management applications. ID 20 A The HSBB0012 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability appro

 9.2. Size:525K  huashuo
 hsbb0012.pdf pdf_icon

HSBB02P15

HSBB0012 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSBB0012 is new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching. RDS(ON),TYP 93 m Making it ideal for high efficiency power management applications. ID 20 A The HSBB0012 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability appro

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: WMS05P10TS

 

 
Back to Top

 


 
.