HSBE2730 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBE2730

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3

Аналог (замена) для HSBE2730

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBE2730 даташит

 ..1. Size:654K  1
hsbe2730.pdfpdf_icon

HSBE2730

HSBE2730 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DS The HSBE2730 is the low RDSON trenched N- CH MOSFETs with robust ESD protection. This R 17 m DS(ON),max product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. I 7 A D The HSBE2730 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pi

 ..2. Size:654K  huashuo
hsbe2730.pdfpdf_icon

HSBE2730

HSBE2730 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DS The HSBE2730 is the low RDSON trenched N- CH MOSFETs with robust ESD protection. This R 17 m DS(ON),max product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. I 7 A D The HSBE2730 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pi

 7.1. Size:837K  1
hsbe2738.pdfpdf_icon

HSBE2730

HSBE2738 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSBE2738 is the low RDSON trenched N- CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 9.5 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 12 A The HSBE2738 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pin Co

 7.2. Size:837K  huashuo
hsbe2738.pdfpdf_icon

HSBE2730

HSBE2738 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSBE2738 is the low RDSON trenched N- CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 9.5 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 12 A The HSBE2738 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pin Co

Другие IGBT... HSBB4016, HSBB4052, HSBB4062, HSBB4115, HSBB6056, HSBB6066, HSBB6115, HSBB8008, IRF1010E, HSBE2738, HSBF3202, HSBG2024, HSBG2103, HSCA2030, HSCB1216, HSCB2012, HSCB2016