Справочник MOSFET. HSBE2730

 

HSBE2730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBE2730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.86 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBE2730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  1
 hsbe2730.pdf pdf_icon

HSBE2730

HSBE2730 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DSThe HSBE2730 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This R 17 m DS(ON),maxproduct is suitable for Lithium-ion battery pack applications. I 7 A DThe HSBE2730 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pi

 ..2. Size:654K  huashuo
 hsbe2730.pdf pdf_icon

HSBE2730

HSBE2730 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DSThe HSBE2730 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This R 17 m DS(ON),maxproduct is suitable for Lithium-ion battery pack applications. I 7 A DThe HSBE2730 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pi

 7.1. Size:837K  1
 hsbe2738.pdf pdf_icon

HSBE2730

HSBE2738 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSBE2738 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 9.5 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 12 A The HSBE2738 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pin Co

 7.2. Size:837K  huashuo
 hsbe2738.pdf pdf_icon

HSBE2730

HSBE2738 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSBE2738 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 9.5 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 12 A The HSBE2738 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pin Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WPMD2012

 

 
Back to Top

 


 
.