HSBE2738 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBE2738

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3

Аналог (замена) для HSBE2738

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBE2738 даташит

 ..1. Size:837K  1
 hsbe2738.pdf pdf_icon

HSBE2738

HSBE2738 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSBE2738 is the low RDSON trenched N- CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 9.5 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 12 A The HSBE2738 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pin Co

 ..2. Size:837K  huashuo
 hsbe2738.pdf pdf_icon

HSBE2738

HSBE2738 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSBE2738 is the low RDSON trenched N- CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),max 9.5 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 12 A The HSBE2738 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pin Co

 7.1. Size:654K  1
 hsbe2730.pdf pdf_icon

HSBE2738

HSBE2730 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DS The HSBE2730 is the low RDSON trenched N- CH MOSFETs with robust ESD protection. This R 17 m DS(ON),max product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. I 7 A D The HSBE2730 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pi

 7.2. Size:654K  huashuo
 hsbe2730.pdf pdf_icon

HSBE2738

HSBE2730 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DS The HSBE2730 is the low RDSON trenched N- CH MOSFETs with robust ESD protection. This R 17 m DS(ON),max product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. I 7 A D The HSBE2730 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. PRPAK3X3 NEP Pi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HSBB4052, HSBB4062, HSBB4115, HSBB6056, HSBB6066, HSBB6115, HSBB8008, HSBE2730, IRFB3607, HSBF3202, HSBG2024, HSBG2103, HSCA2030, HSCB1216, HSCB2012, HSCB2016, HSCB20D03