Справочник MOSFET. SSU1N50

 

SSU1N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSU1N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для SSU1N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU1N50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSU1N50

 0.2. Size:688K  fairchild semi
 ssu1n50b.pdf pdf_icon

SSU1N50

April 2014SSU1N50B520V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC)planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching

 9.1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSU1N50

 9.2. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf pdf_icon

SSU1N50

November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSS6N60 , SSS6N70A , SSS6N80A , SSS6N90A , SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , SSS80N06A , AO3400 , SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A .

History: FK7SM-12 | WSP9936 | SVSP60R033P7HD4

 

 
Back to Top

 


 
.