HSD6004 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSD6004
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.6 nC
Время нарастания (tr): 14.2 ns
Выходная емкость (Cd): 86 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO251
HSD6004 Datasheet (PDF)
hsd6004.pdf
HSD6004 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 60 V DSThe HSD6004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent R 30 m DS(ON),maxRDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 23 A DThe HSD6004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli
hsd6016.pdf
HSD6016 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSD6016 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 12 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 47 A The HSD6016 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabilit
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
