HSD6004 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSD6004

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HSD6004

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSD6004 даташит

 ..1. Size:264K  huashuo
 hsd6004.pdf pdf_icon

HSD6004

HSD6004 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 60 V DS The HSD6004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent R 30 m DS(ON),max RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 23 A D The HSD6004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

 9.1. Size:495K  huashuo
 hsd6016.pdf pdf_icon

HSD6004

HSD6016 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSD6016 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 12 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 47 A The HSD6016 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabilit

Другие IGBT... HSCC8204, HSCC8211, HSCC8233, HSCE2530, HSCE2631, HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052, 18N50, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04, HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10