Справочник MOSFET. HSL0107

 

HSL0107 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSL0107
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для HSL0107

 

 

HSL0107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  huashuo
 hsl0107.pdf

HSL0107 HSL0107

HSL0107 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSL0107 is the high cell density trenched P-V -100 V DSch MOSFETs, which provides excellent RDSON R 520 m DS(ON),typand efficiency for most of the small power switching and load switch applications. I -1.5 A DThe HSL0107 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliabi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3151

 

 
Back to Top