Справочник MOSFET. HSL0107

 

HSL0107 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSL0107
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL0107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  huashuo
 hsl0107.pdf pdf_icon

HSL0107

HSL0107 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSL0107 is the high cell density trenched P-V -100 V DSch MOSFETs, which provides excellent RDSON R 520 m DS(ON),typand efficiency for most of the small power switching and load switch applications. I -1.5 A DThe HSL0107 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliabi

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HSH3024 | HSH120N85

 

 
Back to Top

 


 
.