HSL0107 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSL0107

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для HSL0107

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL0107 даташит

 ..1. Size:326K  huashuo
 hsl0107.pdf pdf_icon

HSL0107

HSL0107 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSL0107 is the high cell density trenched P- V -100 V DS ch MOSFETs, which provides excellent RDSON R 520 m DS(ON),typ and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. I -1.5 A D The HSL0107 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliabi

Другие IGBT... HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, HSL0004, IRLB3034, HSL03N20, HSL6008, HSL6107, HSM0026, HSM0048, HSM0094, HSM0204, HSM0228