Справочник MOSFET. HSM0026

 

HSM0026 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM0026
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM0026 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2213K  huashuo
hsm0026.pdfpdf_icon

HSM0026

HSM0026 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM0026 is the high cell density trenched N- VDS 100 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 20 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 7.5 A The HSM0026 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabil

 9.1. Size:2280K  huashuo
hsm0094.pdfpdf_icon

HSM0026

HSM0094 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSM0094 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 12 m gate charge for most of the Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger. ID 11.5 A 100% EAS Guaranteed Low RDS(ON) Low Gate Charge SOP8 Pin Configuration R

 9.2. Size:2275K  huashuo
hsm0048.pdfpdf_icon

HSM0026

HSM0048 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 100 V The HSM0048 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8 m gate charge for most of the Synchronous ID 13.5 A Rectification for AC/DC Quick Charger. l 100% EAS Guaranteed SOP8 Pin Configuration l Low RDS(ON) l Low Gate Charge l RoHs an

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HSH3024 | NDB710AE

 

 
Back to Top

 


 
.