Справочник MOSFET. HSM0094

 

HSM0094 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSM0094
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для HSM0094

 

 

HSM0094 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2280K  huashuo
 hsm0094.pdf

HSM0094 HSM0094

HSM0094 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSM0094 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 12 m gate charge for most of the Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger. ID 11.5 A 100% EAS Guaranteed Low RDS(ON) Low Gate Charge SOP8 Pin Configuration R

 9.1. Size:2213K  huashuo
 hsm0026.pdf

HSM0094 HSM0094

HSM0026 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM0026 is the high cell density trenched N- VDS 100 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 20 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 7.5 A The HSM0026 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabil

 9.2. Size:2275K  huashuo
 hsm0048.pdf

HSM0094 HSM0094

HSM0048 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 100 V The HSM0048 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8 m gate charge for most of the Synchronous ID 13.5 A Rectification for AC/DC Quick Charger. l 100% EAS Guaranteed SOP8 Pin Configuration l Low RDS(ON) l Low Gate Charge l RoHs an

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HSSK8811

 

 
Back to Top