HSM2202 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM2202

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM2202

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM2202 даташит

 ..1. Size:1198K  huashuo
 hsm2202.pdf pdf_icon

HSM2202

HSM2202 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2202 is the high cell density trenched N- V 20 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 9.5 m DS(ON),TYP converter applications. I 8 A D The HSM2202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functi

Другие IGBT... HSM0048, HSM0094, HSM0204, HSM0228, HSM1562, HSM1564, HSM1641, HSM20N02, IRF730, HSM24P03, HSM2627, HSM2903, HSM3002, HSM3006, HSM3056, HSM3107, HSM3115