HSM4313 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM4313

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM4313

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM4313 даташит

 ..1. Size:510K  huashuo
 hsm4313.pdf pdf_icon

HSM4313

HSM4313 Dual P-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4313 is the high cell density trenched P- V -40 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 45 m DS(ON),max converter applications. I -6.5 A D The HSM4313 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

Другие IGBT... HSM4006, HSM4052, HSM4062, HSM4094, HSM4103, HSM4113, HSM4115, HSM4204, 8205A, HSM4407, HSM4410, HSM4435, HSM4606, HSM4805, HSM6032, HSM6113, HSM6115