HSM4313 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HSM4313
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для HSM4313
HSM4313 Datasheet (PDF)
hsm4313.pdf

HSM4313 Dual P-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4313 is the high cell density trenched P-V -40 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 45 m DS(ON),maxconverter applications. I -6.5 A DThe HSM4313 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun
Другие MOSFET... HSM4006 , HSM4052 , HSM4062 , HSM4094 , HSM4103 , HSM4113 , HSM4115 , HSM4204 , IRF630 , HSM4407 , HSM4410 , HSM4435 , HSM4606 , HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , HSM6115 .
History: PM557BA | GSM3302W | QM4015D | CSD18532KCS
History: PM557BA | GSM3302W | QM4015D | CSD18532KCS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement