Справочник MOSFET. HSM4313

 

HSM4313 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM4313
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM4313 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  huashuo
 hsm4313.pdf pdf_icon

HSM4313

HSM4313 Dual P-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4313 is the high cell density trenched P-V -40 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 45 m DS(ON),maxconverter applications. I -6.5 A DThe HSM4313 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HRS130N06K | HS8K11 | NDB5060L

 

 
Back to Top

 


 
.