HSM4313 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSM4313
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
Время нарастания (tr): 12.8 ns
Выходная емкость (Cd): 108 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOP8
HSM4313 Datasheet (PDF)
..1. Size:510K huashuo
hsm4313.pdf
hsm4313.pdf
HSM4313 Dual P-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4313 is the high cell density trenched P-V -40 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 45 m DS(ON),maxconverter applications. I -6.5 A DThe HSM4313 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
