SSW2N80A - описание и поиск аналогов

 

SSW2N80A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSW2N80A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SSW2N80A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW2N80A даташит

 ..1. Size:223K  1
 ssi2n80a ssw2n80a.pdf pdf_icon

SSW2N80A

 9.1. Size:204K  1
 ssi2n90a ssw2n90a.pdf pdf_icon

SSW2N80A

 9.2. Size:218K  1
 ssi2n60a ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSW2N80A

 9.3. Size:647K  fairchild semi
 ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf pdf_icon

SSW2N80A

November 2001 SSW2N60B / SSI2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , 12N60 , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.