Справочник MOSFET. SSW2N80A

 

SSW2N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW2N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW2N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  1
 ssi2n80a ssw2n80a.pdf pdf_icon

SSW2N80A

 9.1. Size:204K  1
 ssi2n90a ssw2n90a.pdf pdf_icon

SSW2N80A

 9.2. Size:218K  1
 ssi2n60a ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSW2N80A

 9.3. Size:647K  fairchild semi
 ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf pdf_icon

SSW2N80A

November 2001SSW2N60B / SSI2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , 18N50 , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.